特許
J-GLOBAL ID：200903091203388331

強誘電体材料の製法および半導体記憶装置とその製法

発明者：
藤村 紀文

藤村 紀文 について

, 
神澤 公

神澤 公 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (1件)： 河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-256017
公開番号（公開出願番号）：特開平10-101431
出願日： 1996年09月27日
公開日（公表日）： 1998年04月21日
要約：
【要約】【課題】 ReMnO3 の基本構造で、結晶性に優れ、半導体メモリなどに用いた場合に高特性の強誘電性を有する膜を半導体基板などに成膜することができる強誘電体材料の具体的な成膜法およびその製法により得られる強誘電体膜を用いた半導体記憶装置およびその製法を提供する。【解決手段】 ターゲット7と基板4とを対向させて容器内に配設し、レーザアブレーションまたはスパッタリングにより前記基板に強誘電体膜を成膜する方法であって、前記ターゲットとしてRe(ReはYを含むランタノイド系元素)とMnとの合金からなる非酸化物ターゲットを用い、前記容器内の酸素分圧をレーザアブレーションの場合は10-2Torr以下、スパッタリングの場合は10-4以下とし、前記基板の成膜面に酸化源を吹き付けながら、基本構造がReMnO3 の強誘電体材料を前記基板表面に成膜する。
請求項（抜粋）：
ターゲットと基板とを対向させて容器内に配設し、レーザアブレーションにより前記基板に強誘電体膜を成膜する方法であって、前記ターゲットとしてRe(ReはYを含むランタノイド系元素)とMnとの合金からなる非酸化物ターゲットを用い、前記容器内の酸素分圧を10-2Torr以下とし、前記基板の成膜面に酸化源を吹き付けながら前記ターゲットにレーザを照射することにより、基本構造がReMnO3 の強誘電体材料を前記基板表面に成膜することを特徴とする強誘電体材料の製法。
IPC (13件)：
C04B 35/50 ,  C04B 35/495 ,  C23C 14/28 ,  G11C 11/22 ,  H01B 3/12 309 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (9件)：
C04B 35/50 ,  C23C 14/28 ,  G11C 11/22 ,  H01B 3/12 309 ,  H01L 27/10 451 ,  C04B 35/00 J ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371
引用特許：
審査官引用 (7件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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