特許
J-GLOBAL ID：200903091249443680

窒化物系III-V族化合物半導体層の成長方法および半導体装置の製造方法

発明者：
船戸 健次

船戸 健次 について

, 
中村 文彦

中村 文彦 について

, 
橋本 茂樹

橋本 茂樹 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (3件)： 森 幸一 ,  逢坂 宏 ,  松村 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-338846
公開番号（公開出願番号）：特開2008-135768
出願日： 2007年12月28日
公開日（公表日）： 2008年06月12日
要約：
【課題】基板上に窒化物系III-V族化合物半導体層を良好な結晶品質で成長させることができる窒化物系III-V族化合物半導体層の成長方法を提供する。【解決手段】GaN層を基板上に化学気相成長法により成長させ、このGaN層上にAlGaN層を化学気相成長法により成長させる場合に、Gaの原料の供給量に対するNの原料の供給量のモル比を8000以上、好ましくは10000以上、より好ましくは11000以上にしてGaN層を成長させる。基板としてはAl2 O3 基板、ZnO基板、SiC基板などを用いる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
GaN層を基板上に化学気相成長法により成長させ、上記GaN層上にAlGaN層を化学気相成長法により成長させるようにした窒化物系III-V族化合物半導体層の成長方法において、 Gaの原料の供給量に対するNの原料の供給量のモル比を8000以上にして上記GaN層を成長させるようにした ことを特徴とする窒化物系III-V族化合物半導体層の成長方法。
IPC (7件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/343 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (5件)：
H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L33/00 C ,  H01S5/343 610 ,  H01L29/80 H
Fターム (62件)：
4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030JA06 ,  4K030LA14 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AD11 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF06 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA07 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DA63 ,  5F045HA22 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GL09 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F173AA01 ,  5F173AG12 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AH49 ,  5F173AP06 ,  5F173AQ13 ,  5F173AQ16 ,  5F173AR82 ,  5F173AR92
引用特許：
審査官引用 (5件)
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