特許
J-GLOBAL ID：200903091251358380
平坦化したゲートバスを備えたトレンチ・パワーMOSFET
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
大島 陽一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-501216
公開番号（公開出願番号）：特表2006-520091
出願日： 2004年03月04日
公開日（公表日）： 2006年08月31日
要約：
【課題】縦型トレンチゲートパワーMOSFETにおいて、高密度で不可欠なゲートバスおよび比較的平面もしくは平坦な表面形状をしたデバイスの効率的エリアにゲートコンタクト構造を備え、活性縦型MOSFETの大きなアレイを統合可能とする。【解決手段】パワーMOSFETおよびその製造プロセスは、トレンチの内の連続的な伝導性ゲート構造を採用して、アクティブセル領域のトレンチゲートを形成し、ゲートバストレンチ中にゲートバスを形成する。ゲートバストレンチはデバイストレンチに接続し、広くしてもよく、狭くしてもよく、金属/シリサイドを含んでもよい。またポリシリコンには、金属/シリサイドを包囲してもよい。CMPプロセスにより伝導性ゲート構造および/または重なる絶縁層を平坦化してもよく、このプロセスは、アクティブセル領域中のセルフアライメントのコンタクト部もしくは従来のコンタクト部の形成に適合する。
請求項（抜粋）：
パワーMOSFETであって、
第1および第2のトレンチが上面に延設された基板と、
前記第1のトレンチ側壁の少なくとも一部に沿って縦方向に配置されたソース領域、チャネル領域およびドレイン領域と、
前記第1および第2のトレンチ内に連続的に延設されたゲート構造であって、その上部表面は前記基板の上部表面へ延設されず、その第1の部分は前記第1のトレンチ側壁で縦型デバイスのゲートとして作用し、その第2の部分は前記第2のトレンチに配置された該ゲート構造と、
前記ゲート構造の前記第2の部分に接触するゲートコンタクトと
を含むことを特徴とするパワーMOSFET。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 21/76
, H01L 21/336
H01L29/78 653C
, H01L29/78 652K
, H01L29/78 652M
, H01L29/78 652B
, H01L29/78 652R
, H01L29/78 658G
, H01L29/78 658F
, H01L29/78 658A
, H01L29/78 658Z
