トレンチゲートMISデバイスの構造及び製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大島陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-079667
公開番号（公開出願番号）：特開2003-309263
出願日： 2003年03月24日
公開日（公表日）： 2003年10月31日
要約：

【要約】【課題】より単純に製造でき、かつ平坦なトポロジを得ることができ、更にトレンチの上部曲がり部における降伏電圧の問題が解消されたトレンチゲートMISデバイスを提供すること。【解決手段】トランジスタセルを含む活性領域と、トランジスタセルを含まないゲート金属領域と、ゲート金属層とを含み、半導体チップの表面のパターンに、活性領域からゲート金属領域に至るトレンチが形成されており、このトレンチが絶縁材料の層で裏打ちされた壁部を有し、導電性ゲート材料がトレンチ内に設けられており、導電性ゲート材料の上面が半導体チップの上面より下側に位置し、非導電層が活性領域及びゲート金属領域の上に位置し、ゲート金属領域におけるトレンチの一部の上側の非導電層に開口が形成されており、ゲート金属がトレンチ内の接触領域のゲート材料と接触するように、開口が前記ゲート金属で満たされているトレンチゲートMISデバイス。

請求項（抜粋）：

半導体チップに形成されるトレンチゲートMISデバイスであって、トランジスタセルを含む活性領域と、トランジスタセルを含まないゲート金属領域と、ゲート金属層とを含み、前記半導体チップの表面のパターンに、前記活性領域から前記ゲート金属領域に至るトレンチが形成されており、前記トレンチが絶縁材料の層で裏打ちされた壁部を有し、導電性ゲート材料が前記トレンチ内に設けられており、前記導電性ゲート材料の上面が前記半導体チップの上面より下側に位置し、非導電層が前記活性領域及び前記ゲート金属領域の上に位置し、前記ゲート金属領域におけるトレンチの一部の上側の前記非導電層に開口が形成されており、ゲート金属が前記トレンチ内の接触領域の前記ゲート材料と接触するように、前記開口が前記ゲート金属で満たされていることを特徴とするトレンチゲートMISデバイス。

IPC (9件)：

H01L 29/78 653 , H01L 29/78 652 , H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/8234 , H01L 27/06 , H01L 29/41 , H01L 29/423 , H01L 29/49

FI (10件)：

H01L 29/78 653 C , H01L 29/78 652 K , H01L 29/78 652 N , H01L 29/78 652 P , H01L 29/78 658 A , H01L 29/78 658 F , H01L 29/78 658 G , H01L 27/06 102 A , H01L 29/58 G , H01L 29/44 L

Fターム (31件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104CC05 , 4M104DD19 , 4M104DD63 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104FF01 , 4M104FF06 , 4M104FF10 , 4M104FF21 , 4M104FF27 , 4M104GG03 , 4M104GG09 , 4M104GG18 , 4M104HH12 , 5F048AA01 , 5F048AA07 , 5F048AA09 , 5F048AC10 , 5F048BA02 , 5F048BA06 , 5F048BB02 , 5F048BB07 , 5F048BB19 , 5F048BD07 , 5F048BD09 , 5F048BG14 , 5F048BH07

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-022982 出願人：日産自動車株式会社
絶縁電極およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-184730 出願人：日産自動車株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-280543 出願人：株式会社東芝

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