多値記録相変化メモリ素子、多値記録相変化チャンネルトランジスタおよびメモリセルアレイ

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (4件)：青木篤 , 鶴田準一 , 島田哲郎 , 水谷好男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-271743
公開番号（公開出願番号）：特開2008-091682
出願日： 2006年10月03日
公開日（公表日）： 2008年04月17日
要約：

【課題】多値情報の記録が安定して行えかつ高い信頼性で情報の再生が可能な新規な構造の多値記録相変化メモリ素子を提供する。【解決手段】多値記録相変化メモリ素子は、第1の電極層(26)と、第2の電極層(28)と、第1および第2の電極層(26、28)間に設けられ、室温でアモルファス相および結晶相で安定する相変化材料の層を有するメモリ層(30)とを備え、このメモリ層(30)は、第1および第2の電極層(26、28)間で相互に分離された複数の部分メモリ層(32、34、36、38)を含む。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

第1の電極層と、第2の電極層と、前記第1および第2の電極層間に設けられ、室温でアモルファス相および結晶相で安定する相変化材料の層を有するメモリ層と、を備え、前記メモリ層は、前記第1および第2の電極層間で相互に分離された複数の部分メモリ層を含むことを特徴とする、多値記録相変化メモリ素子。

IPC (3件)：

H01L 27/105 , G11C 13/00 , H01L 45/00

FI (3件)：

H01L27/10 448 , G11C13/00 A , H01L45/00 A

Fターム (8件)：

5F083FZ10 , 5F083GA11 , 5F083JA36 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA60 , 5F083ZA21

引用特許：

出願人引用 (3件)

記録素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-323713 出願人：保坂純男, 曽根逸人
WO2005/031725
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-341475 出願人：株式会社ルネサステクノロジ

審査官引用 (5件)

マルチレベル相変化メモリ、及びその動作方法並びに製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-244397 出願人：財団法人工業技術研究院
メモリのセル構造及びメモリデバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-375809 出願人：セイコーエプソン株式会社
記録素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-323713 出願人：保坂純男, 曽根逸人

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