特許
J-GLOBAL ID：200903091375421870
ウエハ裏面研削時の表面保護シートおよび半導体チップの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
鈴木 俊一郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-305673
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127029
出願日： 1999年10月27日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：
【要約】【課題】 半導体チップの認識を確実に行うことができ、半導体チップを効率良く製造可能な表面保護シートを提供すること。【解決手段】 本発明に係るウエハ裏面研削時の表面保護シートは、半導体回路が形成されたウエハ表面からそのウエハ厚さよりも浅い切込み深さの溝を形成し、その後上記半導体ウエハの裏面研削をすることでウエハの厚みを薄くするとともに、最終的には個々のチップへの分割を行なうウエハ裏面研削において用いられる半導体ウエハの表面保護シートであって、基材と、その上に形成された粘着剤層とからなり、該表面保護シートの引張試験において、10%伸張時の応力緩和率が、1分後で、40%以上であることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
半導体回路が形成されたウエハ表面からそのウエハ厚さよりも浅い切込み深さの溝を形成し、その後上記半導体ウエハの裏面研削をすることでウエハの厚みを薄くするとともに、最終的には個々のチップへの分割を行なうウエハ裏面研削において用いられる半導体ウエハの表面保護シートであって、基材と、その上に形成された粘着剤層とからなり、該表面保護シートの引張試験において、10%伸張時の応力緩和率が、1分後で、40%以上であることを特徴とする表面保護シート。
IPC (2件)：
H01L 21/304 631
, H01L 21/301
H01L 21/304 631
, H01L 21/78 Q
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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