特許
J-GLOBAL ID：200903017140400179

半導体装置、ICカード

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-059938
公開番号（公開出願番号）：特開2005-285109
出願日： 2005年03月04日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：
【課題】 本発明は、回路規模を抑えることなく集積回路の機械的強度を高めることができる、半導体装置、IDチップまたはICカードの提供を課題とする。【解決手段】 本発明の半導体装置、IDチップ、ICカードは、絶縁分離された薄膜の半導体膜で形成されたTFT(薄膜トランジスタ)が用いられた集積回路を有する。さらに本発明の半導体装置、IDチップ、ICカードは、光電変換を行なうための層に非単結晶の薄膜を用いた、発光素子及び受光素子を有する。発光素子または受光素子は、集積回路と連続して形成(一体形成)されていても良いし、別途形成して集積回路に貼り合わされていても良い。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
アンテナと、集積回路と、発光素子と、受光素子とを有し、 前記集積回路は薄膜トランジスタを有し、 前記発光素子及び前記受光素子は、それぞれ非単結晶の薄膜を用いた、光電変換を行なうための層を有し、 前記アンテナ、前記発光素子及び前記受光素子は、前記集積回路に接続されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
G06K19/077 ,  G06K19/07
FI (2件)：
G06K19/00 K ,  G06K19/00 H
Fターム (7件)：
5B035AA08 ,  5B035BA03 ,  5B035BB09 ,  5B035CA01 ,  5B035CA03 ,  5B035CA23 ,  5B035CA24
引用特許：
審査官引用 (9件)
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