特許
J-GLOBAL ID：200903091494748607

液晶装置及びその製造方法並びに電子機器

発明者：
村出 正夫

村出 正夫 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-020001
公開番号（公開出願番号）：特開平11-218781
出願日： 1998年01月30日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：
【要約】【課題】 TFT駆動によるアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置において、画素部を平坦化しつつ画素電極の蓄積容量を増加させる。【解決手段】 液晶装置(100)は、一対の基板間に挟持された液晶層(50)と、TFTアレイ基板(10)にマトリクス状に設けられた画素電極(11)とを備える。第1蓄積容量電極が、画素部のTFT(30)を構成する半導体層(1a)からデータ線(6a)下に延設されている。容量線(3b)は、データ線下において第1蓄積容量電極と対向配置された第2蓄積容量電極部を含む。層間絶縁膜は、このデータ線下にある蓄積容量電極に対向する領域が凹状に窪んで形成されている。
請求項（抜粋）：
一対の基板間に液晶が封入されてなり、該一対の基板の一方の基板上に複数のデータ線と、該複数のデータ線に交差する複数の走査線と、前記複数のデータ線及び走査線に各々接続された複数の薄膜トランジスタと、該複数の薄膜トランジスタに各々接続されて前記データ線より上方に配置された複数の画素電極と、該複数の薄膜トランジスタのドレイン又はソース領域を構成する半導体層と同一材料からなり少なくとも前記データ線下に各々延設された複数の第1蓄積容量電極部と、前記データ線下において前記複数の第1蓄積容量電極部と絶縁膜を介して各々対向配置された第2蓄積容量電極部を各々含む複数の容量線と、前記一方の基板と前記画素電極との間に配置された少なくとも1つの層間絶縁膜とを備えており、前記層間絶縁膜は、前記容量線のうち少なくとも前記データ線下にある前記第2蓄積容量電極部に対向する領域が凹状に窪んで形成されてなることを特徴とする液晶装置。
引用特許：
審査官引用 (13件)
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