特許

J-GLOBAL ID：200903091524430879

半導体素子搭載用プラスチックパッケージおよびその製造方法

発明者： 白石 順一 ,  福井 彰 ,  安部 誘岳 ,  大町 正弘
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-261607
公開番号（公開出願番号）：特開平9-107057
出願日： 1995年10月09日
公開日（公表日）： 1997年04月22日
要約：

【要約】【課題】 大型半導体素子の搭載時にもプラスチックパッケージと放熱基板あるいは半導体素子と放熱基板との接合の信頼性を達成し、かつ煩雑な製造工程を省略できる放熱基板付半導体素子搭載用プラスチックパッケージを提供する。【解決手段】 放熱基板3と、その放熱基板3に接合層8を介在して接合される半導体素子9を取囲み、かつ放熱基板3に接合層7を介在して接合されたプラスチックパッケージ本体1とを備えた半導体素子搭載用プラスチックパッケージにおいて、放熱基板3は銅を25〜40重量%含む銅-タングステン合金、銅を25〜40重量%含む銅-モリブデン合金および銅を25〜40重量%含む銅-モリブデン-タングステン合金からなる群より選ばれた少なくとも1種の合金を含み、半導体素子9とプラスチックパッケージ本体1とに接合される放熱基板3の表面は0.2〜1.5μmの範囲内の中心線平均面粗さ(Ra)を有する。

請求項（抜粋）：

放熱基板と、その放熱基板に接合層を介在して接合される半導体素子を取囲み、かつ前記放熱基板に接合層を介在して接合されたプラスチックパッケージ本体とを備えた半導体素子搭載用プラスチックパッケージにおいて、前記放熱基板は、銅を25〜40重量%含む銅-タングステン合金、銅を25〜40重量%含む銅-モリブデン合金および銅を25〜40重量%含む銅-モリブデン-タングステン合金からなる群より選ばれた少なくとも1種の合金を含み、前記半導体素子と前記プラスチックパッケージ本体とに接合される前記放熱基板の表面は、0.2〜1.5μmの範囲内の中心線平均面粗さ(Ra)を有することを特徴とする、半導体素子搭載用プラスチックパッケージ。

IPC (2件)：

H01L 23/373 ,  H01L 23/08

FI (2件)：

H01L 23/36 M ,  H01L 23/08 A

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 半導体搭載用複合放熱基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-309934   出願人：住友電気工業株式会社
• 半導体搭載用複合放熱基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-313968   出願人：住友電気工業株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-278091   出願人：松下電工株式会社
• 気密封止形半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-245830   出願人：富士電機株式会社