特許
J-GLOBAL ID：200903091582959510
低温で基板のステップカバレージを改良する方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-295983
公開番号（公開出願番号）：特開平9-172085
出願日： 1996年11月08日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：
【要約】【課題】 基板のステップカバレージを均一にし、金属層を平坦にする方法を提供し、サブハーフミクロンの適用分野において連続してボイドのない接点またはバイアを形成することを目的とする。【解決手段】 本発明の1つの態様において、耐熱性層が、高アスペクト比の接点またはバイアを有する基板上に堆積される。CVDによる金属層が、低温で耐熱性層上に堆積され、PVD金属に対して共形のウェッティング層を提供する。次に、PVD金属が、前に形成されたCVD金属層上に、その金属の溶融点より低い温度で堆積される。結果として生じるCVD/PVD金属層は、実質的にボイドのないものである。金属被覆法は、統合された処理システムで実施されるのが好ましく、そのシステムは、PVDおよびCVD処理チャンバの両方を含み、基板が真空環境に入ると、バイアおよび接点の金属被覆が、CVDによるAl層上に酸化物層を形成することなく行うことができる。
請求項（抜粋）：
基板の特徴部を形成する方法であって、a)アパーチャの表面にわたって、およそ5Åから 700Åの間の厚さを有するチタン層をスパッタリングし;b)バイアの頂部を覆うことなく、チタン層の表面にわたって、およそ 200Åから1μmの間の厚さを有するアルミニウムを化学蒸着し;c)化学蒸着されたアルミニウムにわたって、アルミニウムをおよそ 660°Cより低い温度で物理気相成長させ、化学蒸着されたアルミニウムと物理気相成長されたアルミニウムを、ボイドを形成することなくバイアに流動させるステップを有する方法。
IPC (4件)：
H01L 21/768
, H01L 21/285
, H01L 21/285 301
, H01L 21/68
H01L 21/90 A
, H01L 21/285 C
, H01L 21/285 P
, H01L 21/285 301 R
, H01L 21/285 301 L
, H01L 21/68 A
