特許

J-GLOBAL ID：200903091607938700

半導体装置およびその製造方法

発明者： 原 明人
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-015509
公開番号（公開出願番号）：特開2006-270051
出願日： 2006年01月24日
公開日（公表日）： 2006年10月05日
要約：

【課題】チャネル領域に歪を与えてキャリアの移動度を向上させる半導体装置において、歪生成効力の低減を防止する。【解決手段】半導体装置は、電界効果トランジスタと、前記電界効果トランジスタのチャネル領域に応力を与える歪生成層とを備え、前記歪生成層は、1.0×1018 cm-3 〜5.0×1019cm-3の自己格子間原子・空孔を含み、前記自己格子間原子・空孔の少なくとも一部は、クラスタ状に存在する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

電界効果トランジスタと、 前記電界効果トランジスタのチャネル領域に応力を与える歪生成層と、 を備え、前記歪生成層は1.0×1018 cm3 〜5.0×1019cm3の酸素あるいは窒素の少なくとも一方を含有することを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 29/78

FI (2件)：

H01L29/78 301X ,  H01L29/78 301B

Fターム (24件)：

5F140AA01 ,  5F140AA08 ,  5F140AC01 ,  5F140AC28 ,  5F140BA01 ,  5F140BA16 ,  5F140BB18 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG08 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BG38 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH07 ,  5F140BH15 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CB04 ,  5F140CD06 ,  5F140CD10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-149588   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-132458   出願人：株式会社日立製作所, トレセンティテクノロジーズ株式会社
• 半導体基板及びその製造方法ならびに半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-147902   出願人：シャープ株式会社
• 半導体基板、半導体装置及びそれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-062439   出願人：シャープ株式会社