FERAMのコンデンサーの化学的機械研磨

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：稲葉良幸 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-584527
公開番号（公開出願番号）：特表2002-530890
出願日： 1999年11月23日
公開日（公表日）： 2002年09月17日
要約：

【要約】マイクロエレクトロニクスの装置構造、例えば強誘電体コンデンサー構造を作り上げる方法であって、装置層を平坦化するために化学的機械研磨(CMP)を用いる。その層は、バリア層(28)、下部電極(30)、強誘電体層(32)、上部電極(34)及び誘電体絶縁層(35)を含むことができる。バリア層(28)は、その誘電体絶縁材料の平坦化された部分で中止層の役目を果たすことができる。絶縁層(38)は、その構造の上に置かれることができる。CMPプロセスは以下を含むことができる:(I)有益な特性を授ける成分を含んでいるCMP媒体。(II)除去される金属及び誘電性の材料。(III)サーマルアニーリングによって除去されたマイクロ電気装置構造への物理的な損害、及び(IV)平坦化の途中でCMP媒体によって除去された貴金属電極。また、CMPによって作り上げられたマイクロ電子装置構造は、透磁率の高い材料に埋め込まれた導電性のラインを含むこともできる。

請求項（抜粋）：

装置先行構造を形成し、且つ、化学的機械研磨(CMP)をCMP媒体を使用して行うことで装置先行構造を平面化することを含む、マイクロ電子装置構造の加工方法であって、前記方法は以下の(I)から(IV)のステップのうち少なくとも1つを含む方法であって、該ステップは:(I)CMP媒体は、マイクロ電子装置構造に組み入れられている際に、マイクロ電子装置構造に有利な特性を与える、少なくとも1つの構成要素を備えるステップと;(II)マイクロ電子装置構造は、金属及び誘電体材料を備えるステップであって、マイクロ電子装置構造内に機内リセス(凹)をもたらすために該金属及び誘電体材料のうち少なくとも1つがCMP平面化中又は平面化後のいずれかにおいて除去され、また選択肢としてはその後その上に絶縁層を配置し、それにより使用中の短絡回路又は高漏えい電流挙動に対する装置構造の感受性を減少させることも可能なステップと;(III)マイクロ電子装置構造に対する物理的損傷は、CMP平面化後の装置構造の熱性アニーリングにより取り除かれるステップと;(IV)貴金属電極剤慮は前記CMP媒体によって除去されるステップ、とを含む方法。

IPC (4件)：

H01L 27/105 , H01L 21/304 622 , H01L 21/304 , H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/304 622 D , H01L 21/304 622 X , H01L 27/10 444 B , H01L 21/90 C

Fターム (36件)：

5F033HH07 , 5F033HH18 , 5F033HH33 , 5F033HH36 , 5F033JJ04 , 5F033JJ19 , 5F033KK01 , 5F033QQ48 , 5F033QQ50 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR13 , 5F033RR14 , 5F033RR15 , 5F033VV10 , 5F033VV16 , 5F083AD24 , 5F083FR01 , 5F083GA27 , 5F083JA02 , 5F083JA13 , 5F083JA19 , 5F083JA32 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083PR03 , 5F083PR05 , 5F083PR21 , 5F083PR22 , 5F083PR34 , 5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-235352 出願人：株式会社東芝
強誘電体層を有する半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-144013 出願人：富士通株式会社
強誘電体メモリの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-105014 出願人：ローム株式会社

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