特許
J-GLOBAL ID：200903091781253465

窒化物半導体層の形成方法

発明者：
荒木 正浩

荒木 正浩 について

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山本 三郎

山本 三郎 について

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只友 一行

只友 一行 について

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星野 勝之

星野 勝之 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について

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国立大学法人山口大学

国立大学法人山口大学 について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-230346
公開番号（公開出願番号）：特開2008-053594
出願日： 2006年08月28日
公開日（公表日）： 2008年03月06日
要約：
【課題】サファイア基板と窒化物半導体層との間に低温バッファ層を介在させることなく、平坦で高品質の無極性窒化物半導体層を結晶成長させる。【解決手段】窒化物系半導体層の形成方法は、サファイア基板の一主面を窒化処理し、その窒化処理された基板面上に第1の成長条件によって第1の窒化物半導体層を結晶成長させ、その第1の成長条件と異なる第2の成長条件によって第1の窒化物半導体層上に第2の窒化物半導体層を結晶成長させることを特徴としている。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
サファイア基板の一主面を窒化処理し、 前記窒化処理された前記主面上に第1の成長条件によって第1の窒化物半導体層を結晶成長させ、 前記第1の成長条件と異なる第2の成長条件によって前記第1の窒化物半導体層上に第2の窒化物半導体層を結晶成長させることを特徴とする窒化物半導体層の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38
FI (2件)：
H01L21/205 ,  C30B29/38 D
Fターム (26件)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077DB11 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  4G077HA02 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TB05 ,  4G077TC13 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  4G077TK08 ,  4G077TK13 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD15 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)

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