特許
J-GLOBAL ID：200903051774327923

窒化物系半導体装置及びその製造方法

発明者：
李 哉 勲

李 哉 勲 について

, 
李 正 熙

李 正 熙 について

, 
趙 現 益

趙 現 益 について


出願人/特許権者：
三星電機株式会社

三星電機株式会社 について


代理人 (2件)： 三好 秀和 ,  伊藤 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-238226
公開番号（公開出願番号）：特開2006-128626
出願日： 2005年08月19日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：
【課題】より単純な工程によりシリコン基板上にGaN層を容易に形成し、且つクラックの発生を充分に抑制することが可能な窒化物系半導体装置の製造方法及びこれによる窒化物系半導体装置を開示する。【解決手段】本発明による窒化物系半導体装置の製造方法は、基板上に高温AlN単結晶層を成長させる段階と、上記AlN単結晶層上に300 Torr以上である第1圧力において支配的な成長方向が側方向になるよう第1V/III比で第1GaN層を成長させる段階と、上記第1窒化物層上に上記第1圧力より低い第2圧力において上記第1V/III比より低い第2V/III比で第2GaN層を成長させる段階とを含む。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板上に高温AlN単結晶層を成長させる段階と、 上記AlN単結晶層上に300Torr以上である第1圧力において支配的な成長方向が側方向になるよう第1V/III比で第1GaN層を成長させる段階と、 上記第1GaN層上に上記第1圧力より低い第2圧力において上記第1V/III比より低い第2V/III比で第2GaN層を成長させる段階とを含む窒化物系半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/34
FI (2件)：
H01L21/205 ,  C23C16/34
Fターム (32件)：
4K030AA09 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14 ,  4K030LA18 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AE25 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF14 ,  5F045BB13 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045EE12
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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