半導体装置およびその作製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-227358
公開番号（公開出願番号）：特開平8-070129
出願日： 1994年08月29日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：

【要約】【目的】単結晶珪素を用いた場合と同等の特性を有する薄膜トランジスタを提供する。【構成】ガラス基板101上に形成された非晶質珪素膜に対して、450°C以上の温度に加熱した状態で、レーザー光を照射することによって、モノドメイン領域104を形成する。この領域は、単結晶と同等と見なすことができる。そしてこの104で示される領域を用いて薄膜トランジスタの活性層106を構成することにより、単結晶珪素を用いた場合と同様の特性を有する薄膜トランジスタを得る。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に形成された薄膜半導体を用いた半導体装置であって、前記薄膜半導体は結晶性を有しており、かつ水素またはハロゲン元素を含有し、前記半導体装置の活性層を形成する前記薄膜半導体中には結晶粒界が存在していないことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/20 , H01L 21/261 , H01L 21/268 , H01L 23/15

FI (4件)：

H01L 29/78 618 Z , H01L 21/26 N , H01L 23/14 C , H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (8件)

薄膜トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-066825 出願人：株式会社東芝
特開平4-373171
特開平1-276615

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