特許
J-GLOBAL ID：200903091850501719

プラズマ処理方法

発明者：
瀬川 澄江

瀬川 澄江 について

, 
真壁 利明

真壁 利明 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について

, 
真壁 利明

真壁 利明 について


代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-096931
公開番号（公開出願番号）：特開平11-283940
出願日： 1998年03月26日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：
【要約】【課題】 プラズマ状態をより適切に制御してプラズマ処理を行うことが可能なプラズマ処理方法を提供すること。【解決手段】 処理ガスのプラズマを用いて基板に対してプラズマ処理を行うにあたり、プラズマの電気的負性度を制御する。具体的には、チャンバー内圧力およびRF電源11’の周波数とRF電力により形成されたプラズマの電気的負性度との関係を予め設定しておき、コントローラ18により、圧力センサー17で検出された圧力値と周波数検出器15で検出された周波数値に基づいて、プラズマの電気的負性度が適切な値になるようにチャンバー内圧力およびRF電源の周波数をフィードバック制御して、リアルタイムでプラズマの電気的負性度を適切な値に制御する。この場合に、プラズマの電気的負性度は一次元RCTモデルに基づくプラズマ状態のシミュレーションで把握することができる。
請求項（抜粋）：
処理ガスのプラズマを用いて基板に対してプラズマ処理を行うにあたり、プラズマの電気的負性度を制御することを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (5件)：
H01L 21/302 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46
FI (5件)：
H01L 21/302 Z ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 B ,  H01L 21/302 C
引用特許：
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM