多結晶半導体薄膜の形成方法およびその形成装置およびその多結晶半導体薄膜を用いた太陽電池

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-261642
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075877
出願日： 2000年08月30日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】 SiH4等の特殊高圧ガスを用いたプラズマCVD法ではプロセスコストが増大し、Si膜の結晶粒径が小さく、ライトトラッピングが充分でなく、また形成される半導体膜の大面積化が困難であるという従来技術の問題があった。【解決手段】エッチング性ガスを導入することができるチャンバー内に半導体膜を形成する基板を配設すると共に、固体状半導体材料を配設し、さらにこのチャンバー内に導入されるエッチング性ガスを活性化させるための加熱触媒体を配設し、エッチング性ガスを加熱触媒体に接触させて活性化した後、この活性化したエッチングガスを固体状半導体に衝突させて揮発性化合物を形成し、この揮発性化合物を前記基板の表面に輸送して半導体薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

エッチング性ガスを加熱触媒体に接触させて活性化した後、この活性化したエッチング性ガスを固体状半導体に衝突させて揮発性化合物を形成し、この揮発性化合物を前記基板の表面に輸送して半導体薄膜を形成する多結晶半導体薄膜の形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 , B01J 23/30 , C23C 16/24 , C23C 16/44 , H01L 31/04

FI (5件)：

H01L 21/205 , B01J 23/30 M , C23C 16/24 , C23C 16/44 A , H01L 31/04 X

Fターム (45件)：

4G069AA02 , 4G069BC56A , 4G069BC59A , 4G069BC60A , 4G069BC60B , 4G069BC75A , 4G069CD10 , 4G069DA05 , 4G069EE03 , 4K030AA03 , 4K030AA04 , 4K030BA09 , 4K030BA29 , 4K030BA32 , 4K030BB03 , 4K030CA06 , 4K030FA17 , 4K030HA03 , 4K030HA04 , 4K030JA02 , 4K030JA10 , 4K030KA49 , 4K030LA16 , 5F045AB01 , 5F045AB03 , 5F045AB04 , 5F045AB05 , 5F045AC02 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AE17 , 5F045AF07 , 5F045AF10 , 5F045BB08 , 5F045CA13 , 5F045DA52 , 5F045DP05 , 5F045DQ08 , 5F045EK07 , 5F051AA03 , 5F051CB04 , 5F051CB29 , 5F051CB30 , 5F051GA04

引用特許：

審査官引用 (6件)

薄膜製造装置および薄膜製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-253245 出願人：ソニー株式会社, 松下電器産業株式会社, 北陸先端科学技術大学院大学長
薄膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-293178 出願人：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
多結晶シリコン膜
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-208769 出願人：株式会社トクヤマ

全件表示

前のページに戻る