特許
J-GLOBAL ID：200903091921594730

厚膜用ホトレジスト組成物及びレジストパターンの形成方法

発明者：
鷲尾 泰史

鷲尾 泰史 について

, 
斎藤 宏二

斎藤 宏二 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (5件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-265693
公開番号（公開出願番号）：特開2005-189810
出願日： 2004年09月13日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：
【課題】 ネガ型の厚膜用ホトレジスト組成物において、アルカリ現像性を向上させる。【解決手段】(A)(a)(メタ)アクリル酸環状アルキルエステルから誘導される構成単位61〜90質量%と、(b)水酸基を有するラジカル重合性化合物から誘導される構成単位とを有する樹脂成分、 (B)少なくとも1個のエチレン性不飽和二重結合を有する重合性化合物、 (C)光重合開始剤、及び (D)有機溶剤、 を含有することを特徴とする厚膜用ホトレジスト組成物。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
(A)(a)(メタ)アクリル酸環状アルキルエステルから誘導される構成単位 61〜90質量%と、(b)水酸基を有するラジカル重合性化合物から誘導される構成単位とを有する樹脂成分、 (B)少なくとも1個のエチレン性不飽和二重結合を有する重合性化合物、 (C)光重合開始剤、及び (D)有機溶剤、 を含有することを特徴とする厚膜用ホトレジスト組成物。
IPC (1件)：
G03F7/033
FI (1件)：
G03F7/033
Fターム (14件)：
2H025AA04 ,  2H025AB15 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AD01 ,  2H025BC13 ,  2H025BC42 ,  2H025CA00 ,  2H025CB11 ,  2H025CB13 ,  2H025CB14 ,  2H025CB16 ,  2H025CC03 ,  2H025FA17
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM