特許
J-GLOBAL ID：200903091957222766

Al-Ni-B合金配線材料及びそれを用いた素子構造

発明者：
占部 宏成

占部 宏成 について

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松浦 宜範

松浦 宜範 について

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久保田 高史

久保田 高史 について


出願人/特許権者：
三井金属鉱業株式会社

三井金属鉱業株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人 田中・岡崎アンドアソシエイツ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-093701
公開番号（公開出願番号）：特開2007-142356
出願日： 2006年03月30日
公開日（公表日）： 2007年06月07日
要約：
【課題】 薄膜トランジスタや透明電極層を備える表示デバイスにおいて、ITOやIZOなどの透明電極層との直接接合が可能であるとともに、n+-Siなどの半導体層とも直接接合が可能なAl系合金配線材料を提供する。【解決手段】 Al-Ni-B合金配線材料において、ニッケル含有量をニッケルの原子百分率Xat%、ボロンの含有量を原子百分率Yat%とした場合、式0.5≦X≦10.0、0.05≦Y≦11.0、Y+0.25X≧1.0、Y+1.15X≦11.5の各式を満足する領域の範囲内にあり、残部がアルミニウムであるAl-Ni-B合金配線材料とした。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
アルミニウムにニッケルとボロンとを含有したAl-Ni-B合金配線材料において、 ニッケル含有量をニッケルの原子百分率Xat%とし、ボロン含有量をボロンの原子百分率Yat%とした場合、式 0.5≦X≦10.0 0.05≦Y≦11.00 Y+0.25X≧1.00 Y+1.15X≦11.50 の各式を満足する領域の範囲内にあり、残部がアルミニウムであることを特徴とするAl-Ni-B合金配線材料。
IPC (6件)：
H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/28 ,  G02F 1/134 ,  C22C 21/00
FI (5件)：
H01L21/88 N ,  H01L21/285 S ,  H01L21/28 301R ,  G02F1/1343 ,  C22C21/00 A
Fターム (32件)：
2H092HA06 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092KB05 ,  2H092MA05 ,  2H092NA28 ,  4M104BB02 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104DD40 ,  4M104GG20 ,  4M104HH02 ,  4M104HH03 ,  4M104HH15 ,  4M104HH16 ,  5F033HH10 ,  5F033JJ01 ,  5F033KK01 ,  5F033KK38 ,  5F033LL02 ,  5F033LL04 ,  5F033PP15 ,  5F033VV00 ,  5F033VV15 ,  5F033WW00 ,  5F033WW04 ,  5F033XX06 ,  5F033XX09 ,  5F033XX10 ,  5F033XX16 ,  5F033XX29 ,  5F033XX30
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)

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