半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-176312
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007135
出願日： 1999年06月23日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：

【要約】【課題】半田ボールとのぬれ性が良好で、更に製造方法が容易なWafer CSP型半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】電極パッド2上にバリアメタル層4を形成した後に、レジスト5でパターニングをし電極パッド2上にレジスト5の膜厚と同等かそれ以下の高さを有するAuバンプ電極6を形成する。その後、逆王水系の希釈溶液と希フッ酸溶液を用いて不要な部分のバリアメタル層4を除去する。次に、全面にAuバンプ電極6が隠れる程度までの厚さの有機樹脂膜7を形成し、Auバンプ電極6の頭頂部があらわれる程度までこの有機樹脂膜7を全面エッチバックする。その後、Auバンプ電極6上に半田ボール8を搭載する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された電極パッド上にバリアメタルを介してバンプ電極を形成する工程と、前記バンプ電極上を含む前記半導体基板の表面全面に前記バンプ電極がかくれる程度まで有機樹脂膜を形成する工程と、前記半導体基板の表面を全面エッチバックして前記バンプ電極の表面を露出させる工程と、前記有機樹脂膜をキュアー処理する工程と、前記バンプ電極上に半田ボールを形成する工程とを具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/60 , H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/92 604 H , H01L 21/88 T , H01L 21/90 P , H01L 21/92 604 S

Fターム (18件)：

5F033HH13 , 5F033JJ07 , 5F033JJ18 , 5F033KK08 , 5F033PP27 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ19 , 5F033QQ31 , 5F033QQ37 , 5F033QQ74 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR21 , 5F033SS04 , 5F033SS22 , 5F033TT01 , 5F033VV07

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-211207 出願人：ソニー株式会社
チップサイズパッケージ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-221760 出願人：沖電気工業株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-228343 出願人：株式会社東芝

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