サイドウォールの除去方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：秋元輝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-224113
公開番号（公開出願番号）：特開2000-056479
出願日： 1998年08月07日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】半導体製造工程でのドライエッチングの際に発生するサイドウォールを、配線材料を腐食することなく、半導体基板から容易に除去できる方法を提供する。【解決手段】半導体基板を硝酸水溶液に浸漬、水洗処理した後に、一般的に用いられているサイドウォール除去液でサイドウォールを前記半導体基板から除去する。前記硝酸水溶液の濃度は0.1〜80重量%が好ましく、前記硝酸水溶液への浸漬時間は1秒〜1時間が好ましい。

請求項（抜粋）：

半導体製造工程でのドライエッチングの際に発生するサイドウォールを半導体基板から除去する方法において、前記半導体基板を硝酸水溶液に浸漬、水洗処理した後にサイドウォール除去液でサイドウォールを除去することを特徴とするサイドウォールの除去方法。

IPC (8件)：

G03F 7/42 , C09K 13/04 , C11D 7/00 , G03F 1/08 , G03F 7/36 , H01L 21/3065 , H01L 21/306 , H01L 21/3213

FI (8件)：

G03F 7/42 , C09K 13/04 , C11D 7/00 , G03F 1/08 , G03F 7/36 , H01L 21/302 N , H01L 21/306 S , H01L 21/88 C

Fターム (40件)：

2H095BB14 , 2H095BB18 , 2H096AA25 , 2H096HA23 , 2H096HA30 , 2H096LA01 , 2H096LA30 , 4H003BA12 , 4H003DA15 , 4H003DB03 , 4H003EA03 , 4H003ED02 , 4H003FA15 , 5F004AA08 , 5F004AA09 , 5F004BD01 , 5F004DA26 , 5F004DB09 , 5F004DB12 , 5F004DB26 , 5F004EA10 , 5F004EA28 , 5F004EB02 , 5F033HH09 , 5F033QQ08 , 5F033QQ11 , 5F033QQ19 , 5F033QQ20 , 5F033QQ93 , 5F033WW00 , 5F033WW04 , 5F033XX21 , 5F043AA24 , 5F043BB27 , 5F043BB28 , 5F043CC16 , 5F043DD02 , 5F043DD15 , 5F043GG02 , 5F043GG10

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体基板の洗浄方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-349014 出願人：オリンパス光学工業株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-042736 出願人：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
特開平4-287322

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