特許
J-GLOBAL ID：200903092270310823
半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-232149
公開番号（公開出願番号）：特開2003-046121
出願日： 2001年07月31日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：
【要約】【課題】 発光層を含む半導体多層膜の最上層と透明樹脂との境界における全反射の影響で光取り出し効率が低下するのを防止することができ、光取り出し効率の向上をはかる。【解決手段】 n型GaAs基板10上に活性層をn型及びp型のクラッド層で挟んだInGaAlP系材料からなるダブルへテロ構造部20が形成され、その上にp型GaP電流拡散層30が成長形成され、基板と反対側の面から光を取り出す方式の半導体発光素子であって、電流拡散層30を上側に凸に湾曲して形成し、基板10を下側に凸に湾曲して形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に発光層を含む半導体積層部が形成され、この半導体積層部上に電流拡散層が形成され、発光層に対し基板と反対側の面から光を取り出す方式の半導体発光素子であって、前記電流拡散層の表面は、光取り出し方向に凸に湾曲して形成されていることを特徴とする半導体発光素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 B
, H01L 33/00 M
5F041AA03
, 5F041CA04
, 5F041CA34
, 5F041CA35
, 5F041CA74
, 5F041CA76
, 5F041CA77
, 5F041EE17
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (10件)
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