特許
J-GLOBAL ID：200903092279635695
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-273132
公開番号（公開出願番号）：特開平8-116038
出願日： 1994年10月13日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：
【要約】【目的】 重金属に対する有効なゲッタリング効果を確保する一方で、活性層に形成されるデバイスへの影響を抑制したSOI基板を含む半導体装置とその製造方法を得る。【構成】 活性層(シリコン層)13の直下に埋め込み酸化シリコン膜12を有し、かつその下層にリンを含有する層14を有する。リンを含有する層14がゲッター層として機能することで、低温から高温域まで有効に重金属をゲッタリングすることができる。また、活性層13とゲッター層14の間に酸化シリコン膜12が存在しているため、ゲッター層14から活性層13へのリンの拡散が抑制され、リンが活性層に形成したデバイスに影響を与えることを抑制する。
請求項（抜粋）：
活性層としてのシリコン層の直下に埋め込み酸化シリコン膜を有するSOI基板で構成される半導体装置において、前記埋め込み酸化シリコン膜の下層に不純物を高濃度に含有する層を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/12
, H01L 21/02
, H01L 21/322
