特許
J-GLOBAL ID:200903092376207185

半導体製造装置およびその温度制御方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 石戸 久子 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-282197
公開番号(公開出願番号):特開2000-183072
出願日: 1999年10月01日
公開日(公表日): 2000年06月30日
要約:
【要約】【課題】 制御量を迅速且つ正確に目標値へ変化させることができて、速やかに制御量を目標値に追従させることができ、しかもそれらの調整を自動で行うことができ、プロセスの生産効率を向上させることができる半導体製造装置を得る。【解決手段】 目標値と制御検出値とが加算器1を介して入力されるPID調節部2と、パターン出力を算出する近似関数を有し、該近似関数のパラメータ値に応じてそのパターン出力を変化可能としたパターン発生部8と、少なくともパターン発生部8の出力を含む出力と、PID調節部2の出力とを切替えて出力する切替器6とを備えた。
請求項(抜粋):
目標値と制御検出値とが加算器を介して入力される調節部と、パターン出力を算出する近似関数を有し、該近似関数のパラメータ値に応じてそのパターン出力を変化可能としたパターン発生部と、少なくとも前記パターン発生部の出力を含む出力と、前記調節部の出力とを切替えて出力する切替器とを有する温度制御装置を備えた半導体製造装置。
IPC (6件):
H01L 21/324 ,  G05B 11/36 501 ,  G05B 13/02 ,  G05D 23/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22
FI (6件):
H01L 21/324 T ,  G05B 11/36 501 H ,  G05B 13/02 A ,  G05D 23/00 F ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22 Z
引用特許:
審査官引用 (12件)
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