特許
J-GLOBAL ID：200903092378073097
マスクパタ-ン転写方法、マスクパタ-ン転写装置、デバイス製造方法及び転写マスク
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 勝 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-010763
公開番号（公開出願番号）：特開2000-200746
出願日： 1999年01月19日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：
【要約】【課題】 転写マスクの部分転写パターンと被転写物との相対的位置を補正することで、転写パターンの繋ぎ精度を向上させる。【解決手段】 転写マスク上の部分転写パターンのアライメントマークを計測し(ステップ23)、これらを基に実際のアライメントマークの座標系を算出する(ステップ25)。ステップ25で求めた実際の座標系と設計上の座標系との相対関係を表すパラメータを算出し(ステップ26)、これを基に、被転写物への部分転写パターンの転写位置を算出(ステップ29)する。以降、ステップ29で算出された転写位置を基に、マスクステージとウエハステージとを駆動させて、順次露光を行う(ステップ34〜40)。
請求項（抜粋）：
分割され、かつ、区別可能な複数の部分転写パターンを有する転写マスクを用い、前記転写マスクを介して被転写物に転写ビームを照射し、前記各部分転写パターンを前記被転写物に順次転写することで、前記被転写物に前記各部分転写パターンを繋ぎ合わせた所望のパターンを得るマスクパターン転写方法において、前記転写マスクに、前記各部分転写パターンのそれぞれに関連づけられた複数のアライメントマークを設けておき、前記被転写物と前記各アライメントマークとの相対位置を補正し、前記各部分転写パターンを前記被転写物に順次転写することを特徴とするマスクパターン転写方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
, G03F 9/00
H01L 21/30 514 C
, G03F 7/20 521
, G03F 9/00 H
, H01L 21/30 520 Z
5F046BA07
, 5F046CC01
, 5F046CC02
, 5F046DA06
, 5F046DA07
, 5F046EB01
, 5F046EB02
, 5F046EB07
, 5F046ED03
, 5F046FA08
, 5F046FC04
, 5F046FC06
, 5F046FC08
