特許
J-GLOBAL ID：200903092442439351

真空蒸着装置

発明者：
阿川 義昭

阿川 義昭 について

, 
松浦 正道

松浦 正道 について

, 
山口 広一

山口 広一 について


出願人/特許権者：
株式会社アルバック

株式会社アルバック について


代理人 (2件)： 石島 茂男 ,  阿部 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-076304
公開番号（公開出願番号）：特開2008-231548
出願日： 2007年03月23日
公開日（公表日）： 2008年10月02日
要約：
【要 約】【課題】成膜速度が速い蒸着装置を提供する。【解決手段】カソード電極31の先端とアノード電極21の先端とを揃え、アーク放電によって生じたプラズマがアノード電極21に接触しないようにする。プラズマ中に微小荷電粒子が電荷を失い、中性粒子となることが防止されるので、磁界形成装置15によって成膜対象物17方向に曲げられる粒子が増加し、成膜速度が速くなる。アノード電極21の先端の成膜対象物17が配置された側に遮蔽電極27を設けておくと、巨大粒子が成膜対象物17に到達せず、膜質が向上する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
筒状のアノード電極と、 前記アノード電極内に配置されたカソード電極と、 前記アノード電極内で前記カソード電極とは絶縁して配置されたトリガ電極と、 前記アノード電極の中心軸線の延長線上に配置され、荷電粒子の飛行方向を曲げる磁界を形成する磁界形成装置とを有し、 前記アノード電極の先端の放出口から放出された電子が前記磁界形成装置を通過し、曲げられた後の飛行方向と交叉する位置に成膜対象物を配置すると、前記カソード電極の材料蒸気によって、前記成膜対象物表面に薄膜が形成される真空蒸着装置であって、 前記カソード電極は、その先端が前記アノード電極の先端と同一平面上に位置するように配置された真空蒸着装置。
IPC (1件)：
C23C 14/24
FI (1件)：
C23C14/24 F
Fターム (4件)：
4K029BA34 ,  4K029CA01 ,  4K029DB02 ,  4K029DB17
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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