粒子線照射システム

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：春日讓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-328864
公開番号（公開出願番号）：特開2007-132902
出願日： 2005年11月14日
公開日（公表日）： 2007年05月31日
要約：

【課題】ビーム照射位置の精度を向上させることができる粒子線照射システムを提供する。【解決手段】荷電粒子ビームを出射するシンクロトロン9と、荷電粒子ビームを走査する走査電磁石21,22を有し、シンクロトロン9からの荷電粒子ビームを照射対象に照射する照射装置6と、走査電磁石21,22の電流を制御してビーム照射位置を移動させる照射制御装置26とを備えた粒子線照射システムにおいて、照射制御装置26は、照射計画に基づくビーム照射位置に対応して、ヒステリシス特性を考慮しない走査電磁石21,22の電流値をそれぞれ演算し、この演算値をヒステリシス特性を考慮して補正演算し、この演算結果に基づいて走査電磁石21,22の電流を制御する。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

荷電粒子ビームを出射する加速器と、前記荷電粒子ビームを走査する走査電磁石を有し、前記加速器からの荷電粒子ビームを照射対象に照射する照射装置と、前記走査電磁石の電流を制御してビーム照射位置を移動させる照射制御装置とを備えた粒子線照射システムにおいて、照射計画に基づくビーム照射位置に対応して、ヒステリシス特性を考慮しない前記走査電磁石の電流値を演算する第1の演算手段と、前記第1の演算手段で演算した前記走査電磁石の電流値を、ヒステリシス特性を考慮して補正演算する第2の演算手段とを有し、前記照射制御装置は、前記第2の演算手段の演算結果に基づいて前記走査電磁石の電流を制御することを特徴とする粒子線照射システム。

IPC (3件)：

G21K 5/04 , A61N 5/10 , G21K 1/093

FI (5件)：

G21K5/04 S , A61N5/10 H , G21K5/04 D , G21K1/093 S , G21K5/04 A

Fターム (7件)：

4C082AA01 , 4C082AC05 , 4C082AG02 , 4C082AG12 , 4C082AN05 , 4C082AP02 , 4C082AR02

引用特許：

出願人引用 (1件)

特許第2833602号公報

審査官引用 (7件)

粒子線治療装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-114001 出願人：株式会社日立製作所
特開平3-236862
粒子加速器とその運転方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-102622 出願人：株式会社日立製作所

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