特許
J-GLOBAL ID：200903092538059827

シリコンエピタキシャル膜形成時のCl2および/またはHClの使用

発明者：
イー, チューアン

イー, チューアン について

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キム, イーワン

キム, イーワン について

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リー, シャオウェイ

リー, シャオウェイ について

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ゾジャジ, アリ

ゾジャジ, アリ について

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ダリダ, ニコラス, シー.

ダリダ, ニコラス, シー. について

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タン, ジンソン

タン, ジンソン について

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チェン, シャオ

チェン, シャオ について

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サモイロフ, アルカディ, ヴィ.

サモイロフ, アルカディ, ヴィ. について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 長谷川 芳樹 ,  山田 行一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-544499
公開番号（公開出願番号）：特表2008-522442
出願日： 2005年11月30日
公開日（公表日）： 2008年06月26日
要約：
第1の態様では、基板にエピタキシャル膜を形成するための第1の方法が提供される。該第1の方法は(a)基板を提供するステップと、(b)該基板の少なくとも一部にエピタキシャル膜を形成するために少なくともシリコンソースに該基板を暴露するステップと、(c)ステップ(b)中に形成された該エピタキシャル膜および他の膜をエッチングするためにHClおよびCl2に該基板を暴露するステップとを含む。多数の他の態様が提供される。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
基板にエピタキシャル膜を形成するための方法であって、 (a)基板を提供するステップと、 (b)前記基板の少なくとも一部にエピタキシャル膜を形成するために少なくともシリコンソースに前記基板を暴露するステップと、 (c)ステップ(b)中に形成された前記エピタキシャル膜および他の膜をエッチングするためにHClおよびCl2に前記基板を暴露するステップと、 を備える方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/24
FI (2件)：
H01L21/205 ,  C23C16/24
Fターム (48件)：
4K030AA01 ,  4K030AA05 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA09 ,  4K030BA29 ,  4K030BA35 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA08 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA10 ,  4K030LA15 ,  5F045AA04 ,  5F045AA06 ,  5F045AA07 ,  5F045AA08 ,  5F045AA12 ,  5F045AA15 ,  5F045AB01 ,  5F045AB02 ,  5F045AB05 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC13 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AF03 ,  5F045CA05 ,  5F045DA52 ,  5F045DB09 ,  5F045EE12 ,  5F045EE13 ,  5F045EE19 ,  5F045HA03 ,  5F045HA13
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (1件)

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