炭化珪素エピキタシーにおけるニンジン状欠陥の低減

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：谷義一 , 阿部和夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-501768
公開番号（公開出願番号）：特表2007-525402
出願日： 2004年11月18日
公開日（公表日）： 2007年09月06日
要約：

オフアクシス基板上の単結晶炭化珪素エピタキシャル層が、基板をエピタキシャル成長反応炉に配置し、基板上にエピタキシャル炭化珪素の第1の層を成長させ、エピタキシャル炭化珪素の第1の層の成長を中断し、第1の層の厚みを減少させるために該第1の層をエッチングし、エピタキシャル炭化珪素の第1の層の上にエピタキシャル炭化珪素の第2の層を再成長させて製造される。ニンジン状欠陥を、エピタキシャル成長処理を中断し、成長した層をエッチングし、エピタキシャル炭化珪素の第2の層を再成長させる工程によって終止できる。成長中断/エッチング/再成長の処理は複数回反復可能である。炭化珪素エピタキシャル層は、内部で終止する少なくとも1つのニンジン状欠陥を有する。半導体構造は、オフアクシス炭化珪素基板上の炭化珪素エピタキシャル層と、基板とエピタキシャル層の境界面の近傍に核形成点を有し内部で終止するニンジン状欠陥とを含む。

請求項（抜粋）：

オフアクシスの炭化珪素基板上に単結晶炭化珪素エピタキシャル層を製造する方法であって、前記基板上にエピタキシャル炭化珪素の第1の層を成長させるステップと、前記エピタキシャル炭化珪素の第1の層をエッチングして、前記第1の層の厚みを減少させるステップと、エピタキシャル炭化珪素の前記エッチングした第1の層の上にエピタキシャル炭化珪素の第2の層を成長させるステップとを含むことを特徴とする方法。

IPC (3件)：

C30B 29/36 , C30B 25/20 , H01L 21/205

FI (3件)：

C30B29/36 A , C30B25/20 , H01L21/205

Fターム (31件)：

4G077AA02 , 4G077AB01 , 4G077BE08 , 4G077DB09 , 4G077EB01 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EF03 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TB02 , 4G077TC02 , 4G077TC13 , 4G077TC17 , 4G077TK01 , 4G077TK06 , 4G077TK08 , 5F045AA03 , 5F045AB06 , 5F045AF02 , 5F045AF13 , 5F045BB12 , 5F045BB13 , 5F045DP04 , 5F045EB15 , 5F045EE13 , 5F045EE17 , 5F045HA03 , 5F045HA23

引用特許：

出願人引用 (4件)

米国特許公開第2003/0079689号公報
米国特許出願第10/414787号
米国特許出願第09/756548号

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審査官引用 (6件)

SiC単結晶の製造方法及び製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-200162 出願人：株式会社デンソー
半導体膜の成長方法及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-060210 出願人：松下電器産業株式会社
種結晶とそれを用いた炭化珪素単結晶の製造方法、炭化珪素単結晶体および単結晶製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-171134 出願人：株式会社デンソー

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引用文献：

審査官引用 (1件)

Correspondence between surface morphological faults and crystallographic defects

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