特許
J-GLOBAL ID：200903092600276872
面発光型半導体レーザ素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-149270
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340565
出願日： 1998年05月29日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：
【要約】【課題】 寿命が長く、光出力特性が均一な面発光型半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 n型GaAs基板12の第1主面上に形成された第1導電型の下部DBR16上に形成された、活性領域24、最下層にAlAs層32を含む第2導電型の上部DBR26、及びp型のGaAsコンタクト層28を含むメサ構造の上面の縁部及び側面を無機絶縁膜であるシリコン酸窒化膜34で覆う。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板の第1主面上に形成された第1導電型の分布帰還型多層反射膜と、前記反射膜上に形成された活性領域と、前記活性領域上に形成された第2導電型の分布帰還型多層反射膜と、前記活性領域に近接した少なくとも1層のAlAs層の一部を酸化したコントロール層とを有し、少なくとも前記第2導電型の分布帰還型多層反射膜の上部から前記コントロール層までを含むメサ構造が形成された面発光型半導体レーザ素子において、無機絶縁膜が前記メサ構造の上面の縁部及び側面を覆うように積層されていることを特徴とする面発光型半導体レーザ素子。
引用特許：
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