特許

J-GLOBAL ID：200903092658466337

多結晶シリコン膜の形成方法

発明者： 石田 聡 ,  中谷 紀夫 ,  佐野 景一 ,  米田 清
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-059214
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260713
出願日： 1999年03月05日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】 より低温で、ガラス基板上に多結晶シリコン膜を形成する。【解決手段】 ガラス基板1上に100nm以上の間隔をあけて結晶核2を形成し、これをエピタキシャル成長させてポリシリコン膜6を形成する。粒径Rは、結晶核2の間隔(100nm以上)になるため、より高品質なポリシリコン膜となる。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に所定間隔以上の間隔を開けてシリコンの結晶核を複数形成し、前記結晶核をエピタキシャル成長させて所定大きさ以上の粒径のグレインを有する多結晶シリコン膜を形成することを特徴とする多結晶シリコン膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20

Fターム (26件)：

5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AC01 ,  5F045AC16 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AF07 ,  5F045AF20 ,  5F045BB07 ,  5F045CA15 ,  5F045DA51 ,  5F045DA61 ,  5F045DB02 ,  5F045EK12 ,  5F045EK17 ,  5F045EK20 ,  5F045HA12 ,  5F045HA17 ,  5F052AA02 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052HA08 ,  5F052JA01

引用特許：

審査官引用 (9件)

• 特開昭63-107016
  
• 特開昭61-053719
  
• 半導体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-011069   出願人：日本電気株式会社
• 特開平3-060026
  
• 薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-344959   出願人：日本電気株式会社
• 特開平1-293668
  
• 特開平2-130817
  
• 電界効果トランジスター及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-321465   出願人：キヤノン株式会社
• シリコン選択成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-293297   出願人：日本電気株式会社