特許
J-GLOBAL ID：200903092677466151

半導体製造装置

発明者：
長田 剛規

長田 剛規 について

, 
秦 雅彦

秦 雅彦 について

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高田 朋幸

高田 朋幸 について


出願人/特許権者：
住友化学工業株式会社

住友化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 高野 昌俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-277493
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086522
出願日： 2001年09月13日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：
【要約】【課題】 処理すべき半導体基板の表面の温度分布の均一性を向上させること。【解決手段】 反応装置2内に設けられた半導体基板25の表面に化合物半導体薄膜結晶層をエピタキシャル結晶成長法によって成長させるようにした半導体製造装置1において、反応装置2のハウジング本体21内に、第1ウェーハホルダ部24と、第1ウェーハホルダ部24に設けられた凹部232に収容されるようにして組み合わされる第2ウェーハホルダ部25と、加熱源とを収容し、第2ウェーハホルダ部25の第1ウェーハホルダ部24との対向面243に形成された凹部244を形成することによって第1ウェーハホルダ部24から第2ウェーハホルダ部25への伝達熱量を第2ウェーハホルダ部25の周縁部と中央部とで異ならせるようにするための空間部を設けた。
請求項（抜粋）：
原料ガス供給装置からの原料ガスを反応装置内に供給し該反応装置内に設けられた半導体基板表面に化合物半導体薄膜結晶層をエピタキシャル結晶成長法によって成長させるようにした半導体製造装置において、前記反応装置が、反応チャンバを形成するハウジング本体を備えると共に、該ハウジング本体内に、第1ウェーハホルダ部と、該第1ウェーハホルダ部と組み合い前記半導体基板を該第1ウェーハホルダ部の一方の主面に間接的に取り付けるため前記第1ウェーハホルダ部にセットされる第2ウェーハホルダ部と、該第1ウェーハホルダ部の他方の主面を加熱するための加熱源とを収容して成り、前記第1ウェーハホルダ部と前記第2ウェーハホルダ部との間では前記第1ウェーハホルダ部から前記第2ウェーハホルダ部への伝達熱量が前記第2ウェーハホルダ部の周縁部と中央部とで異なるようになっていることを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  C30B 25/12
FI (2件)：
H01L 21/205 ,  C30B 25/12
Fターム (20件)：
4G077AA03 ,  4G077BE46 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077EG03 ,  4G077TF02 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB10 ,  5F045AB14 ,  5F045AB18 ,  5F045AD10 ,  5F045AE23 ,  5F045BB08 ,  5F045DP16 ,  5F045EK12 ,  5F045EK21 ,  5F045EM02 ,  5F045EM09 ,  5F045EM10
引用特許：
審査官引用 (21件)
  • 基板処理装置及び基板処理方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-168313   出願人：株式会社日立国際電気
  • 特開平3-038029
  • 特表平7-505261
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