特許
J-GLOBAL ID:200903092776076357

メモリシステム

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-322868
公開番号(公開出願番号):特開2008-139927
出願日: 2006年11月30日
公開日(公表日): 2008年06月19日
要約:
【課題】消耗度等のメモリ状態を判別し、かつメモリを効率良く使用することができるメモリシステムを提供する。【解決手段】電気的にデータの書き込み/消去が可能なNAND型フラッシュメモリ1と、NAND型フラッシュメモリ1の消去回数をカウントし、前記消去回数及び最大消去回数を保持する不揮発性メモリ2と、自己診断コマンドがコンピュータ4から与えられる接続インタフェース31を有し、前記自己診断コマンドに基づいて不揮発性メモリ2から前記消去回数及び最大消去回数を取り出し、接続インタフェース31を介してコンピュータ4へ出力するコントローラ3と、を備える。【選択図】図1
請求項(抜粋):
電気的にデータの書き込み/消去が可能な第1のメモリと、 前記第1のメモリの消去回数をカウントし、前記消去回数及び前記第1のメモリの最大消去回数を保持する第2のメモリと、 接続インタフェースを介して自己診断コマンドが外部から与えられるように接続され、前記自己診断コマンドに基づいて前記第2のメモリから前記消去回数及び最大消去回数を取り出し、前記接続インタフェースを介して外部へ出力するコントローラと、 を備えることを特徴とするメモリシステム。
IPC (2件):
G06F 12/16 ,  G11C 16/02
FI (3件):
G06F12/16 310A ,  G06F12/16 330C ,  G11C17/00 601B
Fターム (15件):
5B018GA03 ,  5B018GA04 ,  5B018HA23 ,  5B018KA01 ,  5B018NA06 ,  5B018QA13 ,  5B125BA01 ,  5B125CA28 ,  5B125DD08 ,  5B125DE20 ,  5B125EA05 ,  5B125EK01 ,  5B125EK02 ,  5B125FA01 ,  5B125FA05
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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