特許
J-GLOBAL ID：200903026293094130
記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-018296
公開番号（公開出願番号）：特開2004-234052
出願日： 2003年01月28日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：
【課題】半導体メモリにおける異常のエリアを検出し、通知、救済することにより信頼性を大幅に向上させる。【解決手段】メモリカード1に設けられた半導体メモリ31 ,32 の内部構成は、ユーザ領域、代替領域、エリア代替情報格納領域、および管理領域からなり、半導体メモリ33 〜35 の内部構成は、ユーザ領域、代替領域、および管理領域からなる。ユーザ領域はユーザが使用できるデータ領域であり、代替領域は該ユーザ領域において不良が発生した際に代替される領域である。エリア代替情報格納領域はエリア代替領域情報を格納する領域であり、管理領域は代替情報を格納する領域である。情報処理部2は、半導体メモリのエリアの不良化兆候動作を検出した際にはメモリカード1のアイドル時にエリア代替処理を実行し、エリアの不良動作を検出した際にはエリア代替処理を即時実行する2段階の代替を行う。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
1つ以上の半導体メモリと、動作プログラムに基づいて前記1つ以上の半導体メモリに格納されたデータを読み出し、所定の処理やデータの書込み動作指示などを行う情報処理部とを備えた記憶装置であって、
前記情報処理部は、前記半導体メモリにおけるエリアの状態を検出し、前記エリアが危険状態であると判定した際に前記記憶装置が動作処理を実行していないアイドル時に前記エリアの代替処理を実行し、前記エリアが限界状態であると判定した際に前記エリアの代替処理を即時実行することを特徴とする記憶装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
5B018GA04
, 5B018GA06
, 5B018HA14
, 5B018HA23
, 5B018KA01
, 5B018KA14
, 5B018KA22
, 5B018MA24
, 5B018NA06
, 5B018QA02
