特許
J-GLOBAL ID：200903092899160557

反射防止膜の形成方法及び装置並びに反射防止膜

発明者：
島山 努

島山 努 について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-289544
公開番号（公開出願番号）：特開2003-100592
出願日： 2001年09月21日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：
【要約】【課題】 所望の屈折率及び消衰係数を発現する反射防止膜を実現できる反射防止膜の形成方法等を提供する。【解決手段】 処理装置1は、二基のチャンバ4を有するツインチャンバ3を備えるものである。SiウェハWが収容された各チャンバ4には、高周波電源Rに接続されたシャワーヘッド部40を通してSiH4ガス、N2Oガス及びHeガスが供給され、SiON膜から成る反射防止膜が成膜される。その後、N2Oガスのみを供給しながら、チャンバ4内にプラズマを形成し、活性種によって反射防止膜の酸化・改質を行う。これにより、SiON膜の組成や構造の変化が生じ、反射防止膜の屈折率及び消衰係数を所望の値とすることが可能となる。
請求項（抜粋）：
基体上に第1のガスを供給し、該基体上に第1の屈折率及び第1の消衰係数を有する第1の反射防止膜を形成する成膜工程と、分子中に酸素原子を含む第2のガスを前記第1の反射防止膜が形成された基体上に供給するガス供給ステップと、該第1の反射防止膜が形成された基体の周囲にプラズマを形成させるプラズマ形成ステップとを有しており、前記第1の反射防止膜を、前記第1の屈折率と異なる第2の屈折率、及び、前記第1の消衰係数と異なる第2の消衰係数を有する第2の反射防止膜へと改質する改質工程と、を備える反射防止膜の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027 ,  C23C 16/56 ,  G02B 1/11 ,  G03F 7/11 503
FI (4件)：
C23C 16/56 ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/30 574 ,  G02B 1/10 A
Fターム (25件)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025DA34 ,  2K009AA05 ,  2K009BB04 ,  2K009CC01 ,  2K009CC02 ,  2K009CC14 ,  2K009CC42 ,  2K009DD03 ,  2K009DD08 ,  2K009DD09 ,  2K009DD12 ,  2K009DD17 ,  4K030AA01 ,  4K030AA06 ,  4K030BA29 ,  4K030BA35 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA08 ,  4K030LA11 ,  5F046PA03 ,  5F046PA04 ,  5F046PA12
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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