特許
J-GLOBAL ID:200903092934696325
パターン形成方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-128981
公開番号(公開出願番号):特開2008-286828
出願日: 2007年05月15日
公開日(公表日): 2008年11月27日
要約:
【課題】パターン幅の微細化、パターンの3次元化が可能なパターン形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明のパターン形成方法は、現像処理により意図的にレジストパターンを倒壊させることを特徴とする。本発明の構成によれば、レジストパターンの間隔と、レジストパターンの厚みを適宜選択することにより、単一のリソグラフィ工程で、3次元的な高さを持った微細パターンや、露光光の解像限界以下のパターン幅を持った微細パターンを形成することが出来る。【選択図】 図4
請求項(抜粋):
レジストを用いて微細なパターンを形成するパターン形成方法において、
基材にレジストを塗布する工程と、
前記レジストを露光し、レジストパターンを描画する工程と、
前記レジストパターンを現像処理する工程と、を含み、
前記現像処理を行う工程は、現像処理により意図的にレジストパターンを倒壊させる工程であること
を特徴とするパターン形成方法。
IPC (2件):
FI (2件):
G03F7/30
, H01L21/30 569F
Fターム (17件):
2H096AA24
, 2H096AA25
, 2H096AA26
, 2H096AA27
, 2H096AA30
, 2H096BA05
, 2H096EA06
, 2H096GA11
, 2H096GA18
, 2H096GA60
, 2H096HA23
, 2H096JA04
, 5F046AA17
, 5F046AA25
, 5F046LA12
, 5F046LA14
, 5F046LA19
引用特許: