基板の熱処理装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-082921
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282436
出願日： 2002年03月25日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】基板上のシリコン膜を十分に均一に熱処理することが可能な装置寿命の改善された熱処理装置を提供する。【解決手段】熱処理室65内には、フラッシュ加熱手段80と予備加熱手段90がガラス基板Wを挟んで上下に配設されている。予備加熱手段90は、ガラス基板Wを摂氏200度乃至摂氏400度に予備加熱するためのものである。予備加熱されたガラス基板Wは、キセノンフラッシュランプ81の閃光照射により熱処理される。閃光照射することで、ガラス基板W上の非晶質シリコン膜は均一に加熱され、その結果、多結晶化される。キセノンフラッシュランプ81は閃光照射で予備加熱手段90が晒されないように閃光照射の仮想線L1より外れて配置される。

請求項（抜粋）：

基板に光を照射することにより基板を熱処理する熱処理装置において、前記基板の裏面側に配置され、前記基板に対して集光器を介して光照射により生成された光照射領域で予備加熱する予備加熱手段と、前記基板の表面側に配置され、前記基板があらかじめ設定した予備加熱温度まで昇温した後に、前記基板の表面で前記予備加熱手段による光照射領域と同じ位置に対して集光器を介して閃光により照射することで、予備加熱された前記基板を処理温度まで昇温させるフラッシュ加熱手段と、を備え、前記予備加熱手段と前記フラッシュ加熱手段を、前記光照射領域における垂線に対して同方向に傾斜させて配置したことを特徴とする基板の熱処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/26 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (4件)：

H01L 21/20 , H01L 29/78 627 G , H01L 21/26 J , H01L 21/26 T

Fターム (20件)：

5F052AA24 , 5F052AA25 , 5F052DA02 , 5F052DB01 , 5F052JA01 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110HJ01 , 5F110HJ23 , 5F110PP02 , 5F110PP05 , 5F110PP10 , 5F110PP11 , 5F110PP29 , 5F110PP33

引用特許：

出願人引用 (6件)

熱処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-272074 出願人：東京エレクトロン株式会社
加熱処理方法および加熱処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-074425 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
閃光照射加熱装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-049021 出願人：ウシオ電機株式会社

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