特許
J-GLOBAL ID：200903093012926638

AlGaInP発光ダイオード

発明者：
竹内 良一

竹内 良一 について

, 
宇田川 隆

宇田川 隆 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (1件)： 矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-220592
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044503
出願日： 1999年08月04日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：
【要約】【課題】AlGaInPLEDの酸化物窓層と容易にオーミック接触でき、また、窓層から剥離し難い構造からなる電極を提供する。【解決手段】酸化物窓層に接する電極の最下層を遷移金属酸化物層とし、最上層を金属層から構成する。
請求項（抜粋）：
発光層が(AlXGa1-X)YIn1-YP(0≦X≦1、0 FI (2件)：
H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 B
Fターム (17件)：
5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA41 ,  5F041CA49 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA66 ,  5F041CA67 ,  5F041CA71 ,  5F041CA73 ,  5F041CA82 ,  5F041CA85 ,  5F041CA92 ,  5F041DA07
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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