特許
J-GLOBAL ID：200903093032141491

半導体基板の製造方法及び半導体素子

発明者：
永井 誠二

永井 誠二 について

, 
冨田 一義

冨田 一義 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について

, 
株式会社豊田中央研究所

株式会社豊田中央研究所 について


代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-099123
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299253
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：
【要約】【課題】 シリコンを下地基板として、クラックや多結晶塊(高熱に伴う反応部)のない、転位密度の低い高品質の半導体結晶を効率よく生産する。【解決手段】 この反応防止層は、この後から積層される窒化ガリウム系の半導体(半導体結晶A)とSiとの反応を防止するためのものであり、この様に、上記の「犠牲層」の上に窒化ガリウム系の半導体よりも融点又は耐熱性が高い例えばAlN等より成る反応防止層を成膜することにより、窒化ガリウム系の半導体を長時間高温で結晶成長させる場合においても、反応防止層上に積層される半導体基板中に高熱に伴う「反応部」が形成されることが無くなる。即ち、上記の反応防止層が有する「シリコンの拡散を阻止する作用」により、高温下で長時間半導体結晶Aを成長させても、前記の「反応部」の発生は上記の「犠牲層」の内部に留まり、反応防止層よりも上部に「反応部」が発現することがない。
請求項（抜粋）：
シリコン(Si)より形成された下地基板上に III族窒化物系化合物半導体から成る半導体結晶Aを成長させることにより、半導体基板を得る方法であって、前記下地基板の上に前記半導体結晶Aと略同種の半導体より成る「犠牲層」を結晶成長させる犠牲層成長工程と、前記犠牲層の上に前記半導体結晶Aよりも融点又は耐熱性が高い晶質材料Bより成り、前記シリコン(Si)の拡散を阻止する「反応防止層」を積層する反応防止層形成工程と、更に、前記反応防止層の上に前記半導体結晶Aより成る前記半導体基板を結晶成長させる結晶成長工程とを有することを特徴とする半導体基板の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38
FI (2件)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38 D
Fターム (30件)：
4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EE01 ,  4G077EE06 ,  4G077EF03 ,  4G077FJ03 ,  4G077TK04 ,  4G077TK08 ,  4G077TK10 ,  4G077TK11 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AA10 ,  5F045AA18 ,  5F045AA19 ,  5F045AB06 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB38 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53 ,  5F045DA67
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM