二重隔離構造を有する半導体素子及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-051819
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282822
出願日： 2003年02月27日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】二重隔離構造を有する半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明によるこの素子は、半導体基板の全面にエピタキシャル層が覆われる。半導体基板及びエピタキシャル層からなる素子領域は素子隔離構造により限定される。素子隔離構造は拡散隔離層及びトレンチ分離構造の二重構造を有する。拡散隔離層は半導体基板内に形成されて素子領域の基底面及び下部側壁を囲み、トレンチ分離構造はエピタキシャル層を垂直に貫通して素子領域の上部側壁を囲む。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の全面に覆われた第1導電型のエピタキシャル層と、前記半導体基板の所定の領域及びその上部のエピタキシャル層からなる素子領域と、前記素子領域内に形成された二重拡散MOSトランジスタと、拡散隔離層及びトレンチ分離構造の二重構造を有し、前記素子領域を限定する素子隔離構造とを含み、前記拡散隔離層は前記半導体基板内に形成され、前記素子領域の基底面及び下部側壁を囲み、前記トレンチ分離構造は前記エピタキシャル層を垂直に貫通して前記素子領域の上部側壁を囲むことを特徴とする半導体素子。

IPC (11件)：

H01L 27/08 331 , H01L 27/08 , H01L 21/336 , H01L 21/74 , H01L 21/76 , H01L 21/761 , H01L 21/8249 , H01L 27/06 , H01L 29/78 , H01L 29/78 652 , H01L 29/78 656

FI (12件)：

H01L 27/08 331 A , H01L 27/08 331 C , H01L 21/74 , H01L 29/78 652 R , H01L 29/78 656 E , H01L 21/76 L , H01L 21/76 J , H01L 29/78 658 A , H01L 29/78 658 F , H01L 29/78 658 E , H01L 27/06 321 C , H01L 29/78 301 D

Fターム (53件)：

5F032AA13 , 5F032AA35 , 5F032AA77 , 5F032AB01 , 5F032BB01 , 5F032CA03 , 5F032CA17 , 5F032CA18 , 5F032CA24 , 5F032DA04 , 5F032DA12 , 5F032DA22 , 5F032DA33 , 5F032DA43 , 5F032DA44 , 5F032DA74 , 5F048AA01 , 5F048AA03 , 5F048AA04 , 5F048AA05 , 5F048AC06 , 5F048AC07 , 5F048BA02 , 5F048BA12 , 5F048BA13 , 5F048BC03 , 5F048BC07 , 5F048BD09 , 5F048BG01 , 5F048BG13 , 5F048BH01 , 5F048BH03 , 5F048BH07 , 5F048CA03 , 5F048CA07 , 5F048CB06 , 5F140AA25 , 5F140AA39 , 5F140AB01 , 5F140AB04 , 5F140AC23 , 5F140BC06 , 5F140BC12 , 5F140BF52 , 5F140BH05 , 5F140BH13 , 5F140BH25 , 5F140BH30 , 5F140BK13 , 5F140CB00 , 5F140CB01 , 5F140CB04 , 5F140CD02

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭61-003449
半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-335869 出願人：三洋電機株式会社
特開昭61-003449

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