特許
J-GLOBAL ID:200903093065894347

磁性膜及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-290664
公開番号(公開出願番号):特開2006-108258
出願日: 2004年10月01日
公開日(公表日): 2006年04月20日
要約:
【課題】 高周波で高い透磁率を実現することが可能であると共に、複雑な磁場発生設備を使用しなくても作製することが可能である磁性膜及びその製造方法を提供する。【解決手段】 絶縁物質1中に、強磁性金属を粒径10nm以下の微粒子2で含有して成り、微粒子2が単磁区構造を有し、各微粒子2の磁化の向きが揃っていない磁性膜10を構成する。また、絶縁物質の薄膜と強磁性金属の薄膜とを交互に積層した多層膜構造を形成し、この多層膜構造を500°C〜800°Cの範囲で熱処理することにより、上記磁性膜10を製造する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
絶縁物質中に、強磁性金属を粒径10nm以下の微粒子で含有して成り、 前記強磁性金属の前記微粒子が単磁区構造を有し、各前記微粒子の磁化の向きが揃っていない ことを特徴とする磁性膜。
IPC (1件):
H01F 10/16
FI (1件):
H01F10/16
Fターム (7件):
5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AC10 ,  5E049BA29 ,  5E049CB10 ,  5E049EB06
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 電磁波吸収膜
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2000-391623   出願人:財団法人電気磁気材料研究所
審査官引用 (5件)
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