特許

J-GLOBAL ID：200903083500401484

電磁波吸収膜

発明者： 大沼 繁弘 ,  小林 伸聖 ,  増本 健
出願人/特許権者： 財団法人電気磁気材料研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-391623
公開番号（公開出願番号）：特開2002-158486
出願日： 2000年11月17日
公開日（公表日）： 2002年05月31日
要約：

【要約】【課題】本発明は,電気比抵抗,飽和磁化と異方性磁界が共に大きく,且つGHz帯域で大きな電磁波の吸収特性を有するナノグラニュラー軟磁性膜からなる電磁波吸収膜を提供することにある.【解決手段】本発明は,一般式M100-XIXで表され,MはFe,Co及びNiのいずれか1種または2種以上の元素からなる10nm以下の粒径を有する強磁性微粒子が高密度に分布してなり,IはMからなる強磁性微粒子を囲む酸化物,窒化物又はフッ化物等の絶縁物からなる粒界物質であり,当該Iの原子比Xが10 請求項（抜粋）：

一般式M100-XIXで表され,MはFe,Co,及びNiのいずれか1種又は2種以上の元素からなる10nm以下の粒径を有する強磁性微粒子で,高密度に分布してなり,IはMからなる強磁性微粒子を囲む酸化物,窒化物又はフッ化物のいずれか1種又は2種以上の絶縁物からなる粒界物質であり,当該Iの原子比Xが10 IPC (3件)：

H05K 9/00 ,  H01F 1/00 ,  H04B 15/00

FI (3件)：

H05K 9/00 M ,  H04B 15/00 ,  H01F 1/00 C

Fターム (14件)：

5E040CA13 ,  5E321AA14 ,  5E321BB23 ,  5E321BB25 ,  5E321BB44 ,  5E321CC16 ,  5E321GG07 ,  5E321GG11 ,  5E321GH03 ,  5K052AA02 ,  5K052BB01 ,  5K052DD15 ,  5K052DD27 ,  5K052FF36

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 一軸磁気異方性膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-267628   出願人：財団法人電気磁気材料研究所
• 超微結晶磁性膜からなる電波吸収体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-338404   出願人：三井金属鉱業株式会社
• 磁性薄膜及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-224438   出願人：株式会社アモルファス・電子デバイス研究所
• 電波吸収体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-185582   出願人：日立マクセル株式会社
• 磁性薄膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-108030   出願人：財団法人電気磁気材料研究所