特許
J-GLOBAL ID：200903093087979311

ITOスパッタリングターゲットおよびその製造方法

発明者：
内海 健太郎

内海 健太郎 について

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長崎 裕一

長崎 裕一 について

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寺岡 秀樹

寺岡 秀樹 について

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黒澤 聡

黒澤 聡 について


出願人/特許権者：
東ソー株式会社

東ソー株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-108686
公開番号（公開出願番号）：特開2002-302761
出願日： 2001年04月06日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 中間化合物相が起因となるアーキングの発生頻度を抑制する構造を有するITOスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 相対密度≧99%、立方晶系In2O3からなる母相及びIn2O3とSnO2の中間化合物相からなるITO焼結体を用いたターゲットであって、焼結体の任意断面をSEM観察したときの中間化合物粒子の楕円長短軸比≧2.1、または中間化合物粒子数の80%以上が凹面を含む多角形状であるITOターゲットであり、In2O3とSnO2の粉末を混合、成形し、1550°C以上1650°C未満の純酸素気流中で焼結後、焼結保持温度から少なくとも1300°Cまで200°C/時間以上の降温速度で降下することにより得られる。
請求項（抜粋）：
酸化インジウム粉末と酸化スズ粉末とを混合、成形、焼成して得られるITO焼結体からなるスパッタリングターゲットであって、その相対密度が99%以上で、焼結体が立方晶系酸化インジウムからなる母相と、酸化インジウムと酸化スズとの中間化合物相との2相構造からなり、焼結体の任意の断面を走査型電子顕微鏡を用いて観察される前記中間化合物相粒子の楕円長短軸比が2.1以上であることを特徴とするITOスパッタリングターゲット。
IPC (3件)：
C23C 14/34 ,  C04B 35/457 ,  C23C 14/08
FI (3件)：
C23C 14/34 A ,  C23C 14/08 D ,  C04B 35/00 R
Fターム (14件)：
4G030AA34 ,  4G030AA39 ,  4G030BA02 ,  4G030BA15 ,  4G030CA01 ,  4G030CA04 ,  4G030GA09 ,  4G030GA25 ,  4G030GA27 ,  4G030GA30 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09
引用特許：
審査官引用 (4件)
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