特許
J-GLOBAL ID：200903093160413208
不揮発性半導体記憶装置及びその制御方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
家入 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-128880
公開番号（公開出願番号）：特開2006-309829
出願日： 2005年04月27日
公開日（公表日）： 2006年11月09日
要約：
【課題】 書き込みや消去の処理効率を向上し、書き込みや消去の処理時間を短縮できる不揮発性半導体記憶装置及びその制御方法を提供すること。【解決手段】 本発明にかかる不揮発性半導体記憶装置は、メモリセルアレイ7と、複数のデータの各アドレスとともに、書き込みの成功/失敗を示す書き込みフラグを格納するフラグ情報格納部3と、書き込みが失敗しているアドレスを選択する内部アドレス格納部10と、データの書き込みを行う書き込み回路6と、データの書き込みの成功/失敗を確認するベリファイ処理を行う比較回路9と、ベリファイの結果に応じて、書き込みフラグを更新するシーケンス制御部4と、を有するものである。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
複数のメモリセルからなる複数のセクタを備え、
前記セクタを消去の最小単位とし、
前記セクタ内の複数のアドレスに書き込むべきデータを一括して入力することができる不揮発性半導体記憶装置であって、
前記複数のアドレスのそれぞれに対応するメモリセルの状態を格納するフラグ格納部を備え、
前記フラグ格納部の情報に応じて選択されるべきアドレスを決定するアドレス設定回路を備えることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (6件)：
G11C17/00 601E
, G11C17/00 611A
, G11C17/00 641
, G11C17/00 631
, G11C17/00 612B
, G11C17/00 601T
5B125BA01
, 5B125BA19
, 5B125CA01
, 5B125DB01
, 5B125DC03
, 5B125DD04
, 5B125EF08
, 5B125FA01
, 5B125FA05
