特許
J-GLOBAL ID：200903093218877951

薄膜エピタキシャルウェーハの製造方法

発明者：
松田 信也

松田 信也 について


出願人/特許権者：
コバレントマテリアル徳山株式会社

コバレントマテリアル徳山株式会社 について


代理人 (3件)： 松山 允之 ,  池上 徹真 ,  須藤 章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-011019
公開番号（公開出願番号）：特開2009-176784
出願日： 2008年01月22日
公開日（公表日）： 2009年08月06日
要約：
【課題】高濃度不純物を含有する下地シリコンウェーハからの不純物のオートドープを簡便に抑制し制御してエピタキシャルウェーハを製造する薄膜エピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】ヒ素、リンまたはボロンがドーパント濃度にして1×1019/cm3以上に添加された下地シリコンウェーハの主表面上に、成膜温度を1000〜1100°Cの範囲で、しかもSiH4ガスを含む成膜用ガスの反応容器内での圧力を1999.83Pa(15Torr)〜2666.44Pa(20Torr)の範囲にしてシリコンエピタキシャル層を減圧気相成長させる。この気相成長では、枚葉式気相成長装置を用い、反応容器内において下地シリコンウェーハが水平回転する状態にし、下地シリコンウェーハの上方から下地シリコンウェーハの主表面上に上記成膜用ガスを流下させると好適である。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
1×1019/cm3以上の濃度のドーパントが添加された下地シリコンウェーハの主表面上にシリコンエピタキシャル層を形成する薄膜エピタキシャルウェーハの製造方法であって、 反応容器内に配置された前記下地シリコンウェーハの温度を1000〜1100°Cの範囲で制御し、 SiH4ガスを含む成膜用ガスが供給された前記反応容器内の圧力を1999.83Pa〜2666.44Paの範囲に設定して、 前記下地シリコンウェーハの主表面上に該下地シリコンウェーハと同導電型であり前記下地シリコンウェーハよりも低いドーパント濃度のシリコンエピタキシャル層を気相成長することを特徴とする薄膜エピタキシャルウェーハの製造方法。
IPC (1件)：
H01L 21/205
FI (1件)：
H01L21/205
Fターム (15件)：
5F045AA03 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AE23 ,  5F045AF03 ,  5F045BB02 ,  5F045BB05 ,  5F045BB06 ,  5F045BB08 ,  5F045CA01 ,  5F045DA66 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (8件)
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