特許
J-GLOBAL ID:200903093386450599
半導体研磨装置および研磨方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
坂口 博 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-109024
公開番号(公開出願番号):特開平10-296625
出願日: 1998年04月20日
公開日(公表日): 1998年11月10日
要約:
【要約】【課題】 垂直に配向したウエーハ研磨装置および方法を提供する。【解決手段】 本装置は、垂直に配向した研磨装置(5)、半導体ウエーハ・キャリア(20)、およびウエーハ(30)を傷つけ、装置の研磨速度を低下させるおそれのある汚染物質を除去して研磨装置を洗浄する洗浄モジュール(50)を具備する。台(40)は、駆動システムにより、中央に位置する水平軸(12)を中心に回転するように駆動される。ウエーハ(30)は、キャリア(20)の水平軸を中心に回転させられる。台(40)に取り付けられた研磨パッド(10)がウエーハ(30)と接触する。本装置は、研磨装置の「ダウン・タイム」を短縮し、したがって所定の時間での良好に研磨されたウエーハの収量が増大する。
請求項(抜粋):
垂直に配向された研磨面を有する半導体研磨装置と、研磨域にある研磨装置に接触し、これに平行な半導体ウエーハを保持する半導体ウエーハ・キャリアと、研磨装置を洗浄するためのパッド洗浄モジュールとを具備する装置。
IPC (4件):
B24B 37/04
, H01L 21/304 621
, H01L 21/304 622
, H01L 21/304
FI (5件):
B24B 37/04 Z
, H01L 21/304 621 D
, H01L 21/304 622 P
, H01L 21/304 622 G
, H01L 21/304 622 M
引用特許:
審査官引用 (7件)
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縦型ウエハ研磨装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-054660
出願人:株式会社東京精密
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ドレッシング装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-334164
出願人:株式会社荏原製作所
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ポリッシング装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-265847
出願人:ロデール・ニッタ株式会社, 土肥俊郎
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高精度平面創成方法及び装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-250352
出願人:今橋孝弘
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平面状物品の研磨装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-098443
出願人:アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
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半導体処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-020986
出願人:株式会社東芝
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平坦化方法及び平坦化装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-153337
出願人:ソニー株式会社
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