特許
J-GLOBAL ID:200903093458448810

化学的機械的研磨方法及びその装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西山 善章
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-271860
公開番号(公開出願番号):特開平11-165256
出願日: 1998年09月25日
公開日(公表日): 1999年06月22日
要約:
【要約】【目的】 研磨パッドで基板表面を研磨する方法及び装置を提供する。【構成】 基板表面を研磨パッドで研磨する。研磨パッドに生じる変化に呼応して基板表面を変形させる。基板表面の変形はかかる基板表面の研磨によって一様性を増す。さらに、該研磨パッドに生じた変化を検出する検出ステップを含み、該研磨パッドの変化が検出されたことに呼応して該変形ステップが行われる。該研磨ステップの期間中、該変形ステップが周期的に行われる。そして、基板表面を変形させる該変形ステップは、複数のピエゾ電気素子を使用して行われる
請求項(抜粋):
半導体基板の表面を研磨パッドで研磨する方法であって、該基板の表面を該研磨パッドを使用して研磨する研磨ステップと、該研磨パッドに生じた変化に呼応して該基板表面を変形させる変形ステップとを含み、該基板表面の研磨によって該基板表面の変形が一様性を増加させることを特徴とする化学的機械的研磨方法。
IPC (2件):
B24B 37/04 ,  H01L 21/304 622
FI (2件):
B24B 37/04 E ,  H01L 21/304 622 K
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 半導体基板の研磨装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-272078   出願人:日本電気株式会社
  • 研磨装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平10-092030   出願人:株式会社東京精密
  • 半導体製造装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-270654   出願人:株式会社東芝
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