特許
J-GLOBAL ID：200903093508719837

単結晶成長装置及び単結晶成長方法

発明者：
山岸 浩利

山岸 浩利 について


出願人/特許権者：
株式会社スーパーシリコン研究所

株式会社スーパーシリコン研究所 について


代理人 (1件)： 二瓶 正敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-224293
公開番号（公開出願番号）：特開2002-037692
出願日： 2000年07月25日
公開日（公表日）： 2002年02月06日
要約：
【要約】【課題】 CZ法で形成される単結晶の径拡大部の下部を把持する構成において、径拡大部の確実な把持を行い、400kg程度の大重量、大径の単結晶棒であっても変形、破断を生じさせず、成長させ引き上げる。【解決手段】 把持部材15A、15Bが把持する単結晶の径拡大部11の表面が外側に凸になるように、径拡大部11の表面の曲率が負になるように径拡大部11を作成し、径拡大部11に晶癖線が現れないようにするとともに、単結晶に接触する接触部材を全体の引張り強度が120MPa以上、250MPa未満である材料、あるいは、単結晶の荷重により引張り応力のかかる第1の部分の引張り強度が120MPa以上、250MPa未満であり、単結晶の荷重により圧縮応力のかかる第2の部分の圧縮強度が60MPa以上である材料により構成する。
請求項（抜粋）：
内部に石英ルツボが配置されるチャンバと、単結晶の原料となる融液を融解させる石英ルツボと、前記石英ルツボの上方で種結晶を上下方向に昇降させる種結晶昇降機構と、前記チャンバ内で上下方向に移動可能に配置された単結晶把持部材とを有し、前記種結晶昇降機構は、種結晶を前記石英ルツボ内の融液に浸漬して引き上げることにより種結晶の下に単結晶ネック部を形成し、次いで前記ネック部の下に単結晶の径拡大部を形成するために用いられ、前記単結晶把持部材は、前記単結晶の径拡大部が形成された後に前記径拡大部を下方から把持して上昇することにより単結晶を引き上げるように構成された単結晶成長装置において、前記単結晶把持部材が把持する前記径拡大部の表面が外側に凸になるように前記径拡大部を作成する手段を設け、かつ、前記単結晶把持部材が前記単結晶の径拡大部の下部と接触する部分に、表面部の硬度がショア硬度で70以上、ビッカース硬度で100以下であり、かつ全体の引張り強度が120MPa以上250MPa未満である接触部材を有していることを特徴とする単結晶成長装置。
IPC (3件)：
C30B 15/00 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208
FI (3件)：
C30B 15/00 Z ,  C30B 29/06 502 C ,  H01L 21/208 P
Fターム (15件)：
4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF02 ,  4G077EG25 ,  4G077HA12 ,  4G077PA01 ,  4G077PG01 ,  5F053AA12 ,  5F053BB60 ,  5F053DD01 ,  5F053FF04 ,  5F053GG01 ,  5F053HH04 ,  5F053RR05 ,  5F053RR20
引用特許：
審査官引用 (9件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM