特許
J-GLOBAL ID：200903093555010153

半導体装置およびその作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-168021
公開番号（公開出願番号）：特開平11-004000
出願日： 1997年06月10日
公開日（公表日）： 1999年01月06日
要約：
【要約】【課題】 高い生産性と特性を有するTFTを提供する。【解決手段】 ニッケルを利用して結晶化させた活性層を用いてTFTを作製する場合に、ゲイト電極106としてタンタルを用いる。この場合、ソース/ドレイン領域108、110への燐のドーピングを行い、その後に加熱処理を行うことにより、活性層中におけるニッケル元素のソース/ドレイン領域のゲッタリングを行わすことができる。また同時にソース/ドレイン領域のアニールを行うことができる。またゲイト電極としてタンタルを利用することでこの加熱処理に耐えるものとすることができる。
請求項（抜粋）：
耐熱性材料でなるゲイト電極と、珪素の結晶化を助長する金属元素を意図的に含有された珪素膜でなる活性層と、を有し、活性層中のソース及びドレイン領域には前記金属元素が他の領域に比較して高い濃度で存在していることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (4件)：
H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 29/78 617 M ,  H01L 29/78 618 G
引用特許：
審査官引用 (4件)
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