特許
J-GLOBAL ID：200903093699361759
液晶表示装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
机 昌彦
, 谷澤 靖久
, 河合 信明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-306991
公開番号（公開出願番号）：特開2004-144826
出願日： 2002年10月22日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：
【課題】半透過型液晶表示装置の画素電極パターンニングするための、フォトレジスト現像工程中に発生するAl膜とITO膜との間の電池腐食反応によるAl膜の溶解消失とITO膜の黒化変色を防止する。【解決手段】反射画素電極14もしくは透明画素電極16パターニング用のフォトレジストパターン15を形成した後、フォトレジストパターン15の表面を凹凸化し、次いで反射画素電極14もしくは透明画素電極16用の導体膜を堆積した後、リフトオフ工程によりフォトレジストパターン15を除去すると同時に反射画素電極14もしくは透明画素電極16をパターニングする。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
互いに接続された光反射電極部と光透過電極部とからなる半透過型画素電極を備えた半透過型液晶表示装置の製造方法において、絶縁基板上に薄膜トランジスタを形成する工程と、その後前記薄膜トランジスタの電流電極に接続される前記光反射電極部または前記光透過電極部の一方をパターン形成する工程と、その後前記反射電極部または前記光透過電極部の他方をパターン形成する工程と、有することを特徴とする半透過型液晶表示装置の製造方法。
IPC (3件)：
G02F1/1343
, G02F1/1335
, G02F1/1368
G02F1/1343
, G02F1/1335 520
, G02F1/1368
2H091FA14Y
, 2H091FB08
, 2H091FD02
, 2H091GA03
, 2H091LA01
, 2H092GA13
, 2H092GA17
, 2H092HA04
, 2H092HA06
, 2H092JA24
, 2H092KB04
, 2H092MA04
, 2H092NA11
, 2H092NA15
